GHW-12Z ENI 射频等离子体发生器

描述

产品描述

GHW-12Z ENI射频等离子体发生器产生射频等离子体。

特征：

具有自我寻址、自我定位、自动I/O检测等特点。

GHW-12Z ENI射频等离子体发生器是一种高性能、高可靠性的射频电源，专为产生射频等离子体而设计。

GHW-12Z ENI射频等离子体发生器采用先进的射频技术和控制电路，具有快速响应、高精度、高稳定性等特点。同时，它还具备自我保护和故障诊断功能，确保设备的长期稳定运行。

GHW50 13.56 MHz、5 kW射频等离子体发生器提供经过现场验证的可靠性、卓越的稳定性和无与伦比的可重复性，可实现高正常运行时间和工艺良率。GHW系列射频等离子体发生器可提供208 VAC和400/480 VAC电压。GHW RF等离子体发生器非常适合集成电路、平板显示器和数据存储设备制造过程中的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、高密度等离子体CVD(HDPCVD)、蚀刻和其他薄膜应用。

应用领域

GHW-12Z ENI射频等离子体发生器广泛应用于主要应用于半导体行业、材料科学、生物医学等领域，如等离子体刻蚀、薄膜制备、表面处理等。