DSQC663 3HAC026253-001/08

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描述

DSQC663 3HAC026253-001/08

数据存储器
    与程序存储器类似，数据存储器可以位于微控制器内部，或者是外部器件，但这两种情况存在一些差别。有时微控制器内部包含SRAM(易失性)和EEPROM(非易失)两种数据存储器，但有时不包含内部EEPROM，在这种情况下，当需要存储大量数据时，设计工程师可以选择外部的串行EEPROM或串行闪存器件。当然，也可以使用并行EEPROM或闪存，但通常它们只被用作程序存储器。
    当需要外部高速数据存储器时，通常选择并行SRAM并使用外部串行EEPROM器件来满足
    对非易失性存储器的要求。一些设计还将闪存器件用作程序存储器，但保留一个扇区作为数据存储区。这种方法可以降低成本、空间并提供非易失性数据存储器。
    针对非易失性存储器要求，串行EEPROM器件支持I2C、SPI或微线(Microwire)通讯总线，而串行闪存通常使用SPI总线。由于写入速度很快且带有I2C和SPI串行接口，FRAM在一些系统中得到应用。
    6．易失性和非易失性存储器
    存储器可分成易失性存储器或者非易失性存储器，前者在断电后将丢失数据，而后者在断电后仍可保持数据。设计工程师有时将易失性存储器与后备电池一起使用，使其表现犹如非易失性器件，但这可能比简单地使用非易失性存储器更加昂贵。然而，对要求存储器容量非常大的系统而言，带有后备电池的DRAM可能是满足设计要求且性价比很高的一种方法。
    在有连续能量供给的系统中，易失性或非易失性存储器都可以使用，但必须基于断电的可能性做出最终决策。如果存储器中的信息可以在电力恢复时从另一个信源中恢复出来，则可以使用易失性存储器。选择易失性存储器与电池一起使用的另一个原因是速度。尽管非易失存储器件可以在断电时保持数据，但写入数据(一个字节、页或扇区)的时间较长。
    7．串行存储器和并行存储器
    在定义了应用系统之后，微控制器的选择是决定选择串行或并行存储器的一个因素。对于较大的应用系统，微控制器通常没有足够大的内部存储器，这时必须使用外部存储器，因为外部寻址总线通常是并行的，外部的程序存储器和数据存储器也将是并行的。
    较小的应用系统通常使用带有内部存储器但没有外部地址总线的微控制器。如果需要额外的数据存储器，外部串行存储器件是最佳选择。大多数情况下，这个额外的外部数据存储器是非易失性的。
    根据不同的设计，引导存储器可以是串行也可以是并行的。如果微控制器没有内部存储器，并行的非易失性存储器件对大多数应用系统而言是正确的选择。但对一些高速应用，可以使用外部的非易失性串行存储器件来引导微控制器，并允许主代码存储在内部或外部高速SRAM中。

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先介绍几点经验。
1、先通读一遍“系统手册”（不管能不能看懂，先了解个大概，以便学习编程时查找）；
2、由位控逻辑入手，逐渐增加定时、计数等条件，把或、与、非关系理顺；
3、进而练习整数运算、实数运算、类型转换；
4、量程转换、PID调节回路的建立及P、I、D参数的理解（最好是有个物理回路验证，比如变频器+电机+测速传感器）；
5、循环、顺序、跳转等程序控制（尽量避免跳转，非跳不可时也是跳的越近越好）；
6、中断、通讯、位置控制....

本人以ABB工业机器人配件DSQC系列和Motorola MVME系列，GE 卡件 模块 驱动器系列为主攻。各位电工朋友可根据自己的条件选择适合自己的PLC品牌，由于PLC的基本框架大同小异，学会一种至于其它的学习起来也就简单了。

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