描述

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在NAND存储器件中实现高速的随机性能并非易事，因为原始NAND器件的最小写操作包(页大小)通常会随着闪存技术的发展增加，而性能则会下降。有多种不同的方法可以使最小可读/写包大小与物理NAND页大小脱离关系，以提高随机性能。例如，通过在MLCNAND芯片上植入一种强大的缓存机制，iNANDe.MMC器件最高可以实现300IOPS写和2000IOPS读(4KB)的随机性能。这个类似SLC的指定托管区具有极高的随机性能和卓越的耐用性，实际上充当着由操作系统和应用程序驱动的重复性小数据操作的“暂存区”。

随着移动技术和应用的不断发展，原始序列性能尤其是随机性能显得越来越重要，但与此同时还要注意处理器、存储器件、操作系统、文件系统以及应用程序之间的集成性能。过去，闪存式存储器件一般仅由一种应用程序访问(例如，个人媒体播放器中的音乐文件或相机中的静态图像等)，因而可以针对这种操作专门进行优化。然而，在众多应用进入当今高级智能手机和平板电脑的情况下，访问嵌入式存储器件的应用程序不断增多并且要求也各不相同，甚至有时还相互冲突(比如，高清或3D高清录像应用要求具有恒定的高速序列比特率，而电子邮件应用则要求高速的随机性能)。

与此同时，移动操作系统中更先进的多任务功能也呈增长之势，这意味着这些应用程序在某些情况下可能会同时访问存储器件。因此，由于存储器件在一段时间内一般只能处理一种操作，仅仅只有高序列性能和随机性能还不足以为低延迟和灵敏的多任务处理提供保障。移动应用程序也可能在访问操作系统、文件系统和e.MMC驱动器的方式上存在巨大差异。如果未能充分预见并采取有效措施，器件的使用情况可能会对移动应用程序的响应过程造成极大影响(例如，在高清录像应用程序写入大序列包时，电子邮件应用程序执行的小随机写操作就会导致临时中断)。如果无法适应应用程序的操作，还会影响到存储器件的使用寿命，因为随着时间的增加，无效率的写模式会影响存储器件的耐用性。

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